Емкостные методы исследования полупроводников

В книге обобщен опыт использования емкостных методов для исследования полупроводниковых материалов и приборов. Рассмотрено определение концентрации примесей и электрического поля в р—n-переходе и параметров сложных эквивалентных схем. Описаны методы определения параметров глубоких примесных уровней, обусловленных как примесями, вводимыми в полупроводник, так и радиационными дефектами. Емкостные методы, описанные в книге, основаны на единой теории и единой методике обработки результатов измерений. В начале каждой главы выводятся расчетные формулы, а затем приводятся примеры использования емкостных методов, взятые из различных областей полупроводниковой электроники.