Физические основы функционирования изделий микроэлектроники

Main
Technique - Electronics
Физические основы функционирования...

Физические основы функционирования изделий микроэлектроники

Митрофанов О.В. и др.

0 / 0

Колко ви харесва тази книга?

Какво е качеството на файла?

Изтеглете книгата за оценка на качеството

Какво е качеството на изтеглените файлове?

Есть большое желание переделать

Категории:

Technique - Electronics

Година:

1987

Език:

russian

Страници:

85

Файл:

DJVU, 4.31 MB

IPFS:

,

russian, 1987

Четете Онлайн

Преобразуването в се извършва

Преобразуването в е неуспешно

Може да се интересувате от

Оболенская Е. С., Чурин А. Ю., Тарасова Е. А., Волкова Е. В., Оболенский С. В. — Измерение электрофизических характеристик p-n перехода: Практикум

Волкова Е. В., Пузанов А. С., Оболенский С. В., Тарасова Е. А. — Введение в физику полупроводниковых диодов и методы их проектирования с использованием высокопроизводительных вычислений: Учебное пособие

Тарасова Е. А., Пузанов А. С., Волкова Е. В., Оболенский С. В., Оболенская Е. С. — Введение в физику транзисторов: Учебное пособие

Кудин, В. И.Мартинович, В. А. — Электрические свойства металлов и полупроводников

В. А. Гуртов — Твердотельная электроника: Учеб. пособие

Почтенный, Артем Евгеньевич — Физика. Ч. 6 : Квантовые электронные свойства твердых тел

Почтенный, Артем Евгеньевич — Физическая электроника и электронные приборы. Ч. 1

Левинштейн М.Е., Симин Г.С. — Барьеры. От кристалла до интегральной схемы

Вострецова Л. Н., Иго А. В., Соловьев А. А. — Физические основы продукции высокотехнологичного производства

Коллектив авторов — Физика. Электричество. Лабораторная работа № 15. Исследование полупроводникового выпрямителя: Методические указания к лабораторной работе для студентов всех направлений подготовки и форм обучения

Качарова М.С., Казакова Л.П. — Изучение вентильного фотоэлемента: методические указания к лабораторной работе

Дьяченко А.Т., Флоринский В.Ю. — Определение электродвижущей силы фотоэлемента с запирающим слоем : Методические указания к лабораторной работе № 312

Качарова М.С., Казакова Л.П. — Изучение вентильного фотоэлемента: методические указания к лабораторной работе

Л. П. Казакова, Г. И. Полищук — Физика. Электричество. Лабораторная работа № 15. Исследование полупроводникового выпрямителя: Методические указания к лабораторной работе для студентов всех направлений подготовки и форм обучения

Вострецова Л. Н., Иго А. В., Соловьев А. А. — Физические основы продукции высокотехнологичного производства

Митрофанов О.В. и др. — Микроэлектроника

Левинштейн М. Б., Симин Г. С. — Барьеры (От кристалла до интегральной схемы)

Ригер Е.Р. — Физика полупроводников: Сборник лабораторных работ

Поляков А.М. — Разгаданный полупроводник

Легостаев Н.С., Троян П.Е, Четвергов К.В. — Твердотельная электроника

Гоков А.М., Жидко Е.А., Вдовёнков В.Ю. — Основы электротехники и электроники. В 5-ти частях

Шевченко О.Ю. — Основы физики твердого тела

Троян П.Е. — Твердотельная электроника

Мамыкин А.И., Рассадина А.А. — Контактные явления в полупроводниках. Учебно-методическое пособие по курсу «Физические основы электроники». Часть 2

— Физические основы электроники. Конспект лекций ПГАТИ

Лысенко А.П. — Физические процессы в p-n-переходе

Кудин В.И., Мартинович В.А. — Электрические свойства металлов и проводников

Арипов Х.К., Абдуллаев А.М., Кузьмина Г.Н., Объедков Е.В., Королева И.А. — Электронные твердотельные приборы и микроэлектроника

Абдуллаев А.М. и др. — Микроволновые Полупроводниковые Приборы. Конспект Лекций

Митяшев Б.Н. — Электронные приборы

— Основы теории p-n перехода

Ткачева Т.М. — Основы полупроводниковой техники и ее применение в автотранспортном комплексе

Шкаев А.Г. — Твердотельная электроника: конспект лекций

Михайлов А.В., Родионов М.Г., Новиков С.М. — Физические основы электроники: Пассивные компоненты электронных устройств

Датиев К.М. — Введение в физику конденсированного состояния. Сборник задач и упражнений

Най-често използвани термини

носителей

электронов

напряжения

перехода

полупроводника

концентрации

напряжение

электрона

проводимости

результате

электроны

переходе

полупроводник

концентрация

сопротивление

носители

полупроводнике

выражение

направлении

поверхности

неосновных

определяется

элементов

зависимость

называется

транзистора

полупроводниках

рекомбинации

температуры

электрического

насыщения

полупроводниковых

смещении

происходит